基于相对密度的增量式聚类算法

基于聚类的相对性原则:簇内对象具有较高的相似度,而簇间对象则相反,提出一种基于相对密度的增量式聚类算法,它继承了基于绝对密度聚类算法的抗噪声能力强、能发现任意形状簇等优点[1],并有效解决了聚类结果对参数设置过于敏感、参数值难以确定以及高密度簇完全被相连的低密度簇所包含等问题。同时,通过定义新增对象的影响集和种子集能够有效支持增量式聚类。     

基于图像编码技术的网络信息传输安全性研究

在研究图像编解码理论和计算图像相似性参数的基础上,提出了基于图像编码技术的网络信息安全传输方法,通过在网络上传输经过编码的参照图像和相似性参数约定,达到图像通信保密的目的,保障了需要传输的图像在网络上的安全性.     

Ag2O 添加的YBa2 Cu3O7-δ超导材料的超导性能

用固态反应法按分子式ＹＢａ２Ｃｕ２．７Ａｇ０．３Ｏ７－δ（简称ＹＢＣＡＯ）制备了样品，利用Ｘ射线衍射，Ｒ－Ｔ曲线及扫描电镜ＳＥＭ研究了Ａｇ对于ＹＢＣＯ超导性能的影响。实验结果表明：晶粒得以细化，ＹＢＣＯ超导性能的稳定性有所增强。本文对结果进行了讨论。     

鱼雷动力电池技术发展水平概述

本文论述了鱼雷推进技术的发展,着重分析了鱼雷应用的传统电池及在研电池的技术水平,并总结了世界先进海军国鱼雷动力电池发展时序,这对于进一步发展我国鱼雷动力电池具有重要参考价值。     

以可用度为目标的功能检测模型

依据产品潜在故障的概念,将产品划分为“正常”、“潜在故障”和“功能故障”三种状态,并将产品从“新的”发展到“潜在故障”时间间隔和从“潜在故障”发展到“功能故障”时间间隔分别作为随机变量进行处理,利用可靠性数学的方法,建立了以可用度为目标的功能检测模型,包括基本模型和实际应用中变化时的模型,举例给出了模型输出结果的特征和敏感性。     

富 BaCO3对YBCO超导样品的超导性能的影响

为提高123相高温超导材料的临界电流密度Jc,本文从改变样品的用料配方、革新制备工艺等方面做了一些尝试和研究.在生成约 10 g123相超导样品正常配比的基础上,分别多加了5mg到100mg不等的BaCO3,采用固相反应法制备了超导体块材.通过比较各样品的超导转变温度Tc、超导转变宽度ΔT、临界电流密度Jc、扫描电镜照片和X-Ray衍射谱图,可以得出:富BaCO3123相超导体的超导转变温度Tc均大于90K;ΔT=1～3K;20mg的富BaCO3有利于123相的形成;一定量富BaCO3的加入对提高123相超导材料的临界电流密度Jc很有利.     

宽频带随机振动环境的疲劳强度强化机理

全轴随机振动环境的疲劳强化机理问题是可靠性强化试验研究的关键技术之一。针对该振动环境的宽带特性对疲劳失效的强化作用进行了讨论,首先研究影响随机应力疲劳强化效能的相关统计参数,然后分析随机应力的频谱带宽如何影响这些统计参数,最后得到频谱带宽对疲劳强化效能的影响,由此揭示全轴随机振动环境宽频带特性的疲劳强化机理。     

超低轨道卫星摄动特性分析及轨道维持方法

针对超低轨道卫星长时间在轨飞行的轨道维持问题,分析了超低轨道平均偏心率矢量变化特性,提出了一种超低轨道维持的控制方法。分析了J2、J3摄动以及大气阻力摄动作用下超低轨道卫星偏心率矢量的变化特性;基于能量守恒原理设计了超低轨道高度维持的控制策略;通过仿真算例验证了控制策略的有效性。结果表明:在地球非球形引力摄动、大气阻力摄动和速度脉冲作用下超低轨道平均偏心率的变化是稳定的,所设计的轨道维持方法不仅能够实现超低轨道高度维持,确保平均偏心率矢量收敛至平衡位置,且用于轨道维持的燃料消耗合理,能够满足长时间的超低轨道飞行要求。     

基于混合高斯概率密度的加权打分方法

针对当前评比打分方法不能有效反映选手真实情况的问题,提出了一种基于混合高斯概率密度的加权打分方法。该方法的重点在于引入混合高斯分布来确定专家评分的权重。首先利用EM算法确定混合高斯分布模型参数,然后通过区间划分得到每个区间上的概率,再将专家打分映射到混合高斯概率密度函数区间上得到对应的权重,最后经加权求和得到选手的最终成绩。通过实例证明了该方法的合理性和公正性。     

提升熔石英抗激光损伤性能的磁流变与HF刻蚀结合方法

为提升紫外熔石英元件抗激光损伤性能,针对传统加工方法在加工过程中产生的破碎性缺陷和污染性缺陷,提出使用磁流变抛光结合HF酸刻蚀的组合工艺提升紫外熔石英元件抗激光损伤性能的方法。磁流变抛光特有的剪切去除原理能够有效去除传统加工过程产生的破碎性缺陷,同时不产生新的破碎性缺陷。HF酸动态酸刻蚀能够有效减少加工过程中产生的金属元素污染。实验结果表明:经过组合工艺处理的熔石英样品,在7J/cm2·3ω激光通量辐照下损伤密度由0.2mm~~(-2)降至0.008mm~(-2),在8J/cm2·3ω激光通量辐照下损伤密度由1mm~(-2)降至0.1mm~(-2),其元件抗损伤性能提升显著。